La tecnologia en el proceso de evaporacion fisica de Plasma Quest Ltd esta basada en la generacion remota de un Plasma de Alta Densidad (PAD). El plasma es generado en una pre-camara adjunta a la camara principal, donde se encuentra el Target y el substrato a recubrir. El plasma es dirigido hacia el Target mediante un campo magnetico, para realizar el proceso de evaporacion fisica. El plasma tambien puede ser dirigido hacia el substrato, con el fin de limpiar el substrato, eliminando oxidos e impurezas volatiles presentes en la superficie antes de la deposicion. De este modo se consigue una mejora notable en la adherencia de la capa al substrato.

La generacion remota del plasma (y no por medio del target, como es el caso del magnetron convencional), da lugar a que la corriente ionica es independiente del voltage aplicado al target. Eso resulta en nuevos grados de flexibilidad del proceso, permitiendo el desarrollo de nuevos procesos y estructuras.

Las ventajas del proceso son:

Posibilidad de incorporar diversas targets de distintos materiales, permitiendo el crecimiento de diversos materiales, sin interrumpir el vacio. Tambien se pueden incorporar multiples substratos, para deposicion en lotes. Actualmente, estamos desarroyando un proceso de tipo “lineal”, diseñado para deposicion en grandes superficies, o en rollo.

Alta utilizacion del Target: HiTUS (por sus siglas en inglés): > 90% de utilizacion del material, comparado con < ~ 40 % en el caso de magnetrón sputtering. HiTUS tampoco genera el circulo anular de erosion que caracteriza los sistemas de magnetron.

La erosion uniforme de la superficie del target (sin formacion anular de erosion) disminuye la probabilidad de envenenamiento del target durante procesos reactivos (tales como la deposición de Si3N4 o SiO2 a partir del silicio puro). No se requiere CC pulsado ni sistemas de control por realimentación. Por tanto, la velocidad de crecimiento de materiales dieléctricos es hasta diez veces superior que en los procesos de magnetrón

Habilidad para depositar películas ferromagnéticas usando targets gruesas de materiales ferromagnéticos (típicamente 6mm de espesor). Hemos depositado desde targets de mas de 20mm de espesor.

Las propiedades de la película son independientes de la velocidad de crecimiento Se puede controlar el estres mecanico de la pelicula, desde compresión hasta tension, con cero estres entre los dos estados.

Podemos depositar sobre los polímeros sensibles al calor tales como PET/Kapton etc.

Los valores de propiedades tales como índice de refracción y resistividad electrica, se aproximan a los valores en volumen.

Algunos ejemplos de materiales depositados son: Al2O3, Nb2O5, SiO2, Ta2O5, TiO2, ITO (óxidos de In:Sn), SnO2, Fe, Ni, Co, Cr, CrO2, Al.

Aplicaciones:
- Informatica: Almacenamiento de datos:
Fibras Opticas, visualizadores de panel plano
- Opticas: Sistemas opticos de precisión; Oftálmicas
- Materiales Electrónicos flexibles (Crecimiento estimado del sector: $30.000M hacia el 2015)
OLEDs, displays flexibles
- Aeroespacial: Cockpits, Espejos Espaciales
- Fotovoltaicas: Paneles solares, Reflectores
- Semiconductores: Ingeniería de capas delgadas y gruesas